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先進半導體

Advanced Semiconductor

微波射頻類襯底

發布時間:2020-07-08 16:07:03

微波射頻類襯底 

非摻半絕緣體材料在微電子領域中作為外延襯底砷化鎵用于制造微波射頻器件(RF)。 

1、產品圖片

           非摻砷化鎵晶體拋光片(直徑3英寸、4英寸、6英寸)

2、產品規格

Production Specification

HBT

Growth Method:

VGF

Conduct Type:

N

Dopant:

Un

Diameter:

4"-6"

Ingot CC:

N/A

Resistivity:

≥1E8

Mobility:

≥4000

EPD:

Ave. :≤ 10000

Bow:

<10

Warp:

<10

TTV:

<5

Light Point Defects:

N/A 


3、應用領域

 核磁共振系統

 

出入口人體安檢

 

 激光掃描成像

 

 小型無人機

 

 電子防盜鎖

 

  雷達

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